Capacità:4 GB, Tipo aggiornamento:Generico, Caratteristiche:Single rank, otto banchi, On-Die Termination (ODT), Basso voltaggio , senza buffer, Configurazione modulo:512 x 64, Organizzazione Chip:512 x 8, Altezza modulo (pollici):1.18, Fattore di forma:SO DIMM 204-pin, Tempo di latenza:CL9 ( 9-9-9 ), Tipo:DRAM, Data Integrity Check (verifica integrità dati):Non ECC, Velocità:1600 MHz ( PC3L-12800 ), Tecnologia:DDR3L SDRAM, Rivestimento terminali:Oro, Tensione:1.35 / 1.5 V